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【2h】

Precise in situ etch depth control of multilayered III−V semiconductor samples with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment

机译：使用反射各向异性光谱（Ras）设备对多层III-V半导体样品进行精确的原位蚀刻深度控制

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Ann-Kathrin Kleinschmidt; Lars Barzen; Johannes Strassner; Christoph Doering; Henning Fouckhardt; Wolfgang Bock; Michael Wahl; Michael Kopnarski;
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年度 2016
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